НИКА-SiC
Автоматизированная установка для выращивания объемных монокристаллов карбида кремния сублимационным методом (модифицированным методом Лели).
Карбид кремния (SiC) - один из наиболее перспективных материалов для высокотемпературной, радиационно-стойкой, силовой и быстродействующей электроники. Установка Ника-SiC позволяет выращивать монокристаллы карбида кремния диаметром до 6”, высотой до 50 мм.
Система автоматического управления процессом роста обеспечивает возможность задания программы автоматического функционирования оборудования на всех стадиях технологического процесса.
Программный модуль сбора-обработки технологических данных позволяет эффективно оптимизировать технологический процесс.
Условия поставки оборудования и технологии выращивания определяются индивидуально для каждого заказчика после согласования конфигурации оборудования.
Характеристики
| Максимальный диаметр кристалла | 4" |
| Тип нагрева | индукционный |
| Максимальная температура сублимации | до 2600С |
| Внутренний диаметр кварцевого реактора | 320 мм |
| Внутренний диаметр индуктора | 380 мм |
| Выходная мощность ВЧ генератора | от 1 до 80 кВт |
| Шаг изменения мощности | 0,0015 кВт |
| Частота генератора | 5-20 кГц |
| КПД генератора | не ниже 95% |
| Допустимое отклонение выходной мощности | ± 0,05% |
| Давление инертного газа в камере | не более 1,5x105 Па |
| Каналы измерения вакуума в камере в диапазоне 10(-1)-1100 мбар | 1 шт |
| Каналы измерения вакуума в камере в диапазоне 10(-4)-1100 мбар | 2 шт |
| Предельный вакуум в реакторе | 5,0x10-4 Па |
| Количество линий подачи технологических газов | 2 (Ar, N2) |
| Максимальный проток газов по Ar ( N ) | до 5 н.л/мин |
| Диапазон автоматического поддержания рабочего давления в реакторе | 5-50 Torr |
| Давление охлажденной воды | от 200 кПа до 250 кПа |