НИКА-SiC-6М
Установка «НИКА-SiС-бМ» предназначена для выращивания монокристаллов карбида кремния сублимационным методом.
Оборудование позволяет выращивать кристаллы диаметром до 6"
КОНКУРЕНТНЫЕ ПРЕИМУЩЕСТВА: |
| автоматизированная система сухой вакуумной откачки |
| автоматизированная система поддержания динамического вакуума |
| система вертикального перемещения индуктора |
| система пирометрического измерения температуры в верхней и нижней |
| точках теплового узла |
| система вертикального перемещения нижнего пода реактора для загрузкивыгрузки |
| теплового узла |
| возможность работы в протоке рабочих газов аргон, азот или их смеси |
| форвакуумный баллон для поддержания рабочего давления в реакторе |
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ: |
| тип нагрева индукционный |
| максимальный диаметр кристалла 150 мм |
| внутренний диаметр кварцевого реактора 400мм |
| внутренний диаметр индуктора 420мм |
| вертикальный ход индуктора 120 мм |
| тип преобразователя частоты транзисторный (IGBT) |
| шаг изменения мощности нагрева 0,003 кВт |
| номинальная выходная частота 4-20 кГц |
| предельный вакуум в реакторе 6,0*10(-4) Па |
| количество линий подачи технологических газов З (аргон, азот, смесь газов) |
| диапазон автоматического поддержания рабочего давления в реакторе |
| 100-10(4) Па |
| возможность работы в протоке газов |
ГАБАРИТНЫЕ РАЗМЕРЫ, Д/Ш/В: |
| модуль ростовой 1650х1420х3200 мм |
| транзисторный преобразователь частоты 600х60Ох2200 мм |
| стойка управления 800х600х1900 мм |