НИКА-ПРОФИЛЬ
Автоматизированная установка для промышленного производства профилированных монокристаллов сапфира различной формы методом Степанова (EFG).
Области применения профилированных кристаллов сапфира: окна для приборов высокого давления и температур, CVD реакторы, корпуса баллонов газоразрядных ламп, световоды, изоляторы, медицинские инструменты, окна сканеров штрих-кодов, термолюминесцентные датчики, втулки подшипников скольжения (часовые и приборные камни, в том числе втулки для расходомеров тепла и воды), нитеводы текстильного оборудования, часовые стекла, чехлы для термопар, микросопла, тигли для выращивания кристаллов и др.
Важным преимуществом наших установок для выращивания монокристаллов методом Степанова является адаптивная система управления процессом роста. Автоматическое выращивание профилированных кристаллов осуществляется с помощью совместной работы релейного регулятора и предиктора корректора, настройки которых осуществляются автоматически в процессе роста. Эта система успешно применяется при групповом выращивании 24 сапфировых пластин, предназначенных для изготовления защитных экранов смартфонов.
Установки для выращивания монокристаллов методом Степанова снабжены автоматической системой затравливания кристаллов. Система автоматического управления процессом роста обеспечивает возможность сквозной автоматизации всего процесса выращивания кристаллов любого профиля поперечного сечения.
Использование длинноходных тарельчатых сильфонов для вакуумного уплотнения штоков позволяет минимизировать вероятность вакуумных течей в процессе эксплуатации оборудования.
Индукционный нагрев осуществляется с помощью высокостабильного транзисторного IGBT генератора, со стабилизацией выходной мощности ± 0,05% и шагом управления от 1,5 Вт.
Условия поставки оборудования и технологии выращивания определяются индивидуально для каждого заказчика после согласования конфигурации оборудования.
Мы учитываем особенности процесса заказчика и проводим автоматизацию специальных технологических приемов и процедур.
Характеристики
| Температура нагрева | 2200 °С |
| Тип нагрева | резистивный |
| Диаметр индуктора, внутр. | до 330 мм |
| Габариты раб. камеры (внутр), диаметр/высота | 750/1300 мм |
| Масса кристалла | до 16,0 кг |
| Чувствительность датчика веса | 0.05 г |
| Рабочий ход верхнего штока | 850 мм |
| Скорость перемещения верхнего штока | от 0,01 до 100.0 мм/мин |
| Рабочий ход нижнего штока | 200 мм |
| Скорость перемещения нижнего штока | от 0,01 до 100.0 мм/мин |
| Тип преобразователя | транзисторный (IGBT) |
| Выходная мощность преобразователя | от 0,1 до 100 кВт |
| Шаг изменения мощности | 0,0015 кВт |
| Частота | 5-20 кГц |
| Допустимое отклонение выходной мощности | ± 0,05% |
| Давление инертного газа в камере | не более 1,5x105 Па |
| Предельный форвакуум | не более 2.6 Па |
| Давление охлажденной воды | от 2000 кПа до 250 кПа |
| Расход охлаждающей воды, не более | 6 м3/час |
| Габаритные размеры Транзисторный генератор, Д х Ш х В | 600х600х2200 мм |
| Габаритные размеры модуль ростовой, без монитора, Д х Ш х В | 1100х1200х4050 мм |