НИКА-М75

НИКА-М75

Автоматизированная установка для выращивания кристаллов методом Киропулоса, предназначена для промышленного производства монокристаллов сапфира оптоэлектронного качества массой до 75кг.

Отличительной особенностью установки НИКА-М75 является прямое высокоточное взвешивание кристалла и автоматическое адаптивное управление процессом кристаллизации с измерением теплопотерь через конструкционные элементы кристаллизатора. Установка для выращивания монокристаллов по методу Киропулоса снабжена уникальной системой автоматического управления процессом роста с использованием запатентованной высокоточной системы контроля нарастающей массы кристалла и прецизионной системы управления мощностью нагревателя.

Программный комплекс “Kyropoulos” является управляющей программой для ростовой установки “НИКА-М75” и осуществляет автоматическое управление процессом выращивания кристаллов методом Киропулоса с использованием обратной связи: массовая скорость кристаллизации – мощность нагревателя. В управляющей программе реализовано несколько различных режимов управления ростовым процессом: плавное снижение мощности нагрева по заданному расписанию от времени процесса роста; автоматическое управление процессом выращивания по опорному значению производной весового сигнала, т.е. с поддержанием заданного значения скорости нарастания массы кристалла и др.

В управляющей программе ростовой установки реализована возможность удаленного контроля и управления оборудованием.

Оборудование оснащено системой видеонаблюдения для визуализации процесса затравливания кристалла и начальной стадии процесса выращивания.

В качестве источника питания можно использовать как тиристорный, так и транзисторный (IGBT) регуляторы напряжения.

Условия поставки оборудования и технологии выращивания определяются индивидуально для каждого заказчика после согласования конфигурации оборудования.


Характеристики

Тип нагрева резистивный
Температура нагрева до 2200°С
Размер тигля (диаметр/высота) 330/450 мм
Масса кристалла до 75 кг
Чувствительность датчика веса 1 г
Рабочий ход верхнего штока 200 мм
Скорость перемещения верхнего штока 0,1 - 8000.0 мм/ч
Скорость вращения верхнего штока 0,5 – 20,0 об/мин
Максимальная потребляемая мощность процесса 65 кВт
Тип регулятора напряжения (два варианта комплектации) тиристорный или транзисторный (IGBT)
Диапазон регулирования выходной мощности 0,1 - 80 кВт
Допустимое отклонение выходной мощности ± 0,1%
Предельное остаточное давление в камере 2.0x10-4 Па
Загрузка