НИКА-М75
Автоматизированная установка для выращивания кристаллов методом Киропулоса, предназначена для промышленного производства монокристаллов сапфира оптоэлектронного качества массой до 75кг.
Отличительной особенностью установки НИКА-М75 является прямое высокоточное взвешивание кристалла и автоматическое адаптивное управление процессом кристаллизации с измерением теплопотерь через конструкционные элементы кристаллизатора. Установка для выращивания монокристаллов по методу Киропулоса снабжена уникальной системой автоматического управления процессом роста с использованием запатентованной высокоточной системы контроля нарастающей массы кристалла и прецизионной системы управления мощностью нагревателя.
Программный комплекс “Kyropoulos” является управляющей программой для ростовой установки “НИКА-М75” и осуществляет автоматическое управление процессом выращивания кристаллов методом Киропулоса с использованием обратной связи: массовая скорость кристаллизации – мощность нагревателя. В управляющей программе реализовано несколько различных режимов управления ростовым процессом: плавное снижение мощности нагрева по заданному расписанию от времени процесса роста; автоматическое управление процессом выращивания по опорному значению производной весового сигнала, т.е. с поддержанием заданного значения скорости нарастания массы кристалла и др.
В управляющей программе ростовой установки реализована возможность удаленного контроля и управления оборудованием.
Оборудование оснащено системой видеонаблюдения для визуализации процесса затравливания кристалла и начальной стадии процесса выращивания.
В качестве источника питания можно использовать как тиристорный, так и транзисторный (IGBT) регуляторы напряжения.
Условия поставки оборудования и технологии выращивания определяются индивидуально для каждого заказчика после согласования конфигурации оборудования.
Характеристики
Тип нагрева | резистивный |
Температура нагрева | до 2200°С |
Размер тигля (диаметр/высота) | 330/450 мм |
Масса кристалла | до 75 кг |
Чувствительность датчика веса | 1 г |
Рабочий ход верхнего штока | 200 мм |
Скорость перемещения верхнего штока | 0,1 - 8000.0 мм/ч |
Скорость вращения верхнего штока | 0,5 – 20,0 об/мин |
Максимальная потребляемая мощность процесса | 65 кВт |
Тип регулятора напряжения (два варианта комплектации) | тиристорный или транзисторный (IGBT) |
Диапазон регулирования выходной мощности | 0,1 - 80 кВт |
Допустимое отклонение выходной мощности | ± 0,1% |
Предельное остаточное давление в камере | 2.0x10-4 Па |