Микроэлектроника 2026

   
 Представители АО "ЭЗАН" приняли участие в российском форуме «Микроэлектроника 2026», который прошел 27 сентября – 3 октября 2026 года на Федеральной территории «Сириус» в Университете «Сириус». На секции № 9 «Электронное машиностроение» начальником отдела технологий роста кристаллов и новых материалов , к.ф.-м.н. Михаилом Викторовичем Юдиным был представлен доклад «Установка эпитаксии карбида кремния на подложках диаметром 150 мм методом химического газофазного осаждения (CVD)».
      В докладе изложены результаты работы АО «ЭЗАН» совместно с АО «Эпиэл» и АО «НТО» по разработке установки эпитаксии с горизонтальным ректором и базовой технологии эпитаксиального роста слоев 4H-SiC на подложках SiC диаметром до 150 мм. Отмечено, что на АО "ЭЗАН" изготовлен макетный образец установки эпитаксии, проводятся его технологические испытания, получены образцы эпитаксиальных пластин с хорошими показателями по равномерности толщины эпитаксиального слоя и по однородности распределения примеси для n- и p-типов проводимости. Работа выполняется в рамках ОКР "Гурзуф" при поддержке Минпромторга России.
       Доклад вызвал живой интерес у участников Форума, в дискуссии обсудили технические детали реализации технологического процесса и перспективы внедрения разработанного оборудования в производственную цепочку по получению отечественной ЭКБ.